Emitter-Basis-Durchbruch -spannung eines Phototransistors
- Emitter-Basis-Durchbruch -spannung eines Phototransistors
- пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ГОСТ 21934-83]
Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
- emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
DE
- Emitter-Basis-Durchbruch -spannung eines Phototransistors
FR
- tension de claquage émetteur-base de phototransistor
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии.
academic.ru.
2015.
Смотреть что такое "Emitter-Basis-Durchbruch -spannung eines Phototransistors" в других словарях:
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пробивное напряжение — 2.2 пробивное напряжение: Максимальное значение напряжения, необходимого для пробоя искрового промежутка свечи при заданных условиях Источник: ГОСТ 28772 90: Системы зажигания автомобильных двигателей. Термины и определения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Пробивное напряжение эмиттер-база — 11. Пробивное напряжение эмиттер база D. Emitter Basis Durchbruchspannung E. Breakdown emitter base voltage F. Tension de claquage émetteur base UЭБОпроб Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора — Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Обозначение Uбпрэ UBR EBO Примечание На ФЭПП может действовать равновесное… … Справочник технического переводчика
Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора — 107. Пробивное напряжение эмиттер база фототранзистора D. Emitter Basis Durchbruch spannung eines Phototransistors E. Emitter base breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage emetteur base de pbototransistor Пробивное напряжение … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
